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參數資料
| 型號： | BLW81 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | BLW81 |
March 1993
7
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW81
Fig.8 Component layout and printed-circuit board for 470 MHz test circuit.
The circuit and the components are situated on one side of the PTFE fibre-glass board, the other side
being fully metallized to serve as earth. Earth connections are made by means of hollow rivets.
handbook, full pagewidth
MGP579
124
56
C3
R1
C1
C2
L1
L5
L2
C5
C6
C4
C10
C9
R2
rivet
C7
L4
L3
C8
+
VCC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLW83 | HF/VHF power transistor |
| BLW85 | HF/VHF power transistor |
| BLW86 | HF/VHF power transistor |
| BLW87 | VHF power transistor |
| BLW898 | UHF linear power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BLW83 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor |
| BLW85 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLW86 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLW87 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLW89 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF |
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