參數(shù)資料
型號: BLW78
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HF/VHF power transistor
中文描述: VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: CERAMIC, SOT-121B, 4 PIN
文件頁數(shù): 10/16頁
文件大小: 83K
代理商: BLW78
August 1986
10
Philips Semiconductors
Product specification
HF/VHF power transistor
BLW78
R.F. performance in s.s.b. class-A operation
V
CE
= 26 V; T
h
= 40
°
C; f
1
= 28,000 MHz; f
2
= 28,001 MHz
OUTPUT POWER
W
G
p
dB
I
C
A
d
3
dB
35 (P.E.P.)
typ. 19,5
3
typ.
40
Fig.15 Test circuit; s.s.b. class-A; f = 28 MHz.
handbook, full pagewidth
50
MGP556
50
R2
R4
BD136
BY206
L3
L1
R5
L5
T.U.T.
L4
C11
C10
C8
C12
C13
C2
C1
C4
C3
R3
R6
R1
R8
C5
C6
C7
C14
C9
R7
+
VCC
L2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLW80 UHF power transistor
BLX41X PNP
BLX41XX PNP
BLX48R TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-205AD
BM-3BK CASE DESKTOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLW80 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW81 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLW83 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:HF/VHF power transistor
BLW85 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLW86 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray