參數(shù)資料
型號(hào)： BLW60C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-120A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/15頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： BLW60C
March 1993
4
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLW60C
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C
Note
1.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
200
μ
s;
δ ≤
0,02.
Breakdown voltage
Collector-emitter voltage
V
BE
= 0; I
C
= 50 mA
Collector-emitter voltage
open base; I
C
= 100 mA
Emitter-base voltage
open collector; I
E
= 25 mA
V
(BR)CES
>
36 V
V
(BR)CEO
>
16 V
V
(BR)EBO
>
4 V
Collector cut-off current
V
BE
= 0; V
CE
= 15 V
I
CES
<
25 mA
Transient energy
L = 25 mH; f = 50 Hz
open base
V
BE
= 1,5 V; R
BE
= 33
E
E
>
>
8 ms
8 ms
D.C. current gain
(1)
I
C
= 4 A; V
CE
= 5 V
h
FE
typ
10
50
80
to
D.C. current gain ratio of matched devices
(1)
I
C
= 4 A; V
CE
= 5 V
h
FE1
/h
FE2
<
1,2
Collector-emitter saturation voltage
(1)
I
C
= 12,5 A; I
B
= 2,5 A
V
CEsat
typ
1,5 V
Transition frequency
at f = 100 MHz
(1)
I
C
= 4 A; V
CE
= 12,5 V
I
C
= 12,5 A; V
CE
= 12,5 V
f
T
f
T
typ
typ
650 MHz
600 MHz
Collector capacitance
at f = 1 MHz
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 15 V
C
c
typ
<
120 pF
160 pF
Feedback capacitance
at f = 1 MHz
I
C
= 200 mA; V
CE
= 15 V
C
re
C
cs
typ
80 pF
Collector-stud capacitance
typ
2 pF
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