參數(shù)資料
型號(hào)： BLV99SL
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： UHF power transistor
中文描述： 超高頻大功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 70K
代理商： BLV99SL
September 1991
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV99/SL
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
collector-base breakdown voltage
open emitter;
I
C
= 5 mA
V
BE
= 0;
I
C
= 10 mA
open collector;
I
E
= 0.5 mA
V
BE
= 0;
V
CE
= 27 V
V
CE
= 20 V;
I
C
= 150 mA
L = 25 mH;
R
BE
= 10
;
f = 50 Hz
V
CB
= 24 V;
I
E
= I
e
= 0;
f = 1 MHz
V
CE
= 24 V;
I
C
= 0;
f = 1 MHz
50
V
V
(BR)CEO
collector-emitter breakdown voltage
27
V
V
(BR)EBO
emitter-base breakdown voltage
3.5
V
I
CES
collector-emitter leakage current
2
mA
h
FE
DC current gain
25
E
SBR
second breakdown energy
0.5
mJ
C
c
collector capacitance
3
pF
C
re
feedback capacitance
1.3
pF
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current, typical values.
V
CE
= 20 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
0.5
IC (A)
0
20
40
60
80
0.1
0.2
0.3
0.4
MBK467
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage, typical values.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
0
10
20
30
VCB (V)
6
2
0
4
MBK468
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