參數(shù)資料
型號(hào)： BLV98CE
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： BLV98CE
March 1993
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV98CE
CHARACTERISTICS
at T
j
= 25
°
C unless otherwise stated.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
collector-base breakdown voltage
open emitter
I
C
= 25 mA
open base
I
C
= 50 mA
open collector
I
E
= 5 mA
V
BE
= 0
V
CE
= 27 V
I
C
= 1 A
V
CE
= 20 V
I
E
= I
e
= 0
V
CB
= 24 V
I
C
= 0
V
CE
= 24 V
50
V
V
(BR)CEO
collector-emitter breakdown voltage
27
V
V
(BR)EBO
emitter-base breakdown voltage
3.5
V
I
CES
collector leakage current
5
mA
h
FE
DC current gain
15
C
c
collector capacitance at f = 1 MHz
23
pF
C
re
feedback capacitance at f = 1 MHz
14
pF
C
cf
collector-flange capacitance
2
pF
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
handbook, halfpage
hFE
0
1
2
IC (A)
4
0
80
3
60
40
20
MDA451
VCE = 24 V
20 V
Fig.5
Output capacitance as a function of V
CB
;
typical values.
handbook, halfpage
(pF)
0
10
VCB (V)
20
30
0
80
60
40
20
MDA452
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