參數(shù)資料
型號(hào)： BLV97CE
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： BLV97CE
March 1993
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV97CE
Fig.10 Input impedance; series components;
V
CE
= 24 V; P
L
= 35 W; R
th mb-h
= 0.4 K/W;
typical values.
handbook, halfpage
Zi
(
)
0
800
2
4
6
8
850
900
950
1000
f (MHz)
Xi
Ri
MRA176
Fig.11 Load impedance; series components;
V
CE
= 24 V; P
L
= 35 W; R
th mb-h
= 0.4 K/W;
typical values.
handbook, halfpage
0
1
2
3
1
800
850
900
950
1000
f (MHz)
MRC177
XL
RL
ZL
(
)
Fig.12 Power gain; class-AB operation;
V
CE
= 24 V; P
L
= 35 W; R
th mb-h
= 0.4 K/W;
typical values.
handbook, halfpage
0
800
4
8
850
900
950
1000
f (MHz)
GP
(dB)
MRC175
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLV97 RM Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 3.3V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; Power: 0.25W; Single Output Rail; Industry Standard Pinout; 1kVDC & 2kVDC Isolation; High Efficiency for Low Power Applications; UL94V-0 Package Material; Optional Continuous Short Circuit Protected; Fully Encapsulated; Efficiency to 80%; Custom versions available
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參數(shù)描述
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BLV99SL 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLV9N60 制造商:ESTEK 制造商全稱(chēng):ESTEK 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
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