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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLV57 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF Linear push-pull power transistor(UHF 線性推挽式功率晶體管) |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-161A, 8 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | BLV57 |
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1998 Feb 09
3
Philips Semiconductors
Product specification
UHF linear push-pull power transistor
BLV57
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
Note
1.
Dissipation of either transistor section should not exceed half rated dissipation.
Collector-emitter voltage
(peak value); V
BE
= 0
open base
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current per transistor section
d.c. or average
(peak value); f
1 MHz
Total power dissipation at T
mb
= 25
°
C
(1)
R.F. power dissipation (f
1 MHz); T
mb
= 25
°
C
(1)
Storage temperature
Operating junction temperature
v
CESM
V
CEO
V
EBO
max.
max.
max.
50 V
27 V
3,5 V
I
C
; I
C(AV)
I
CM
P
tot
P
rf
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
65 to
+
150
°
C
max.
2 A
4 A
77 W
(1)
93 W
(1)
200
°
C
Fig.2 D.C. SOAR.
(1)
(1) Second breakdown limit
(independent of temperature).
handbook, halfpage
1
MGP358
1
10
10
2
IC1
+
IC2
(A)
VCE (V)
(1)
Tmb = 25
°
C
Th = 70
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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