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參數(shù)資料
| 型號： | BLV2347 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-486A |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 27V的五（巴西）總裁| 10A條一（c）|的SOT - 486A |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | BLV2347 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLV36 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 8.5A I(C) | SOT-161 |
| BLV37 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 36V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-179VAR |
| BLV38 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-179VAR |
| BLX97 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-48B |
| BLV91 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 16V V(BR)CEO | 400MA I(C) | SOT-172A1 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLV25 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV297 | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| BLV2N60 | 制造商:ESTEK 制造商全稱:ESTEK 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| BLV30 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLV30_06 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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