參數(shù)資料
型號(hào): BLV103(1)
英文描述: RF Power Transistors for UHF
中文描述: 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大?。?/td> 27K
代理商: BLV103(1)
1996 Feb 12
6
Philips Semiconductors
RF Power Transistors for UHF
Line-ups
DIGITAL CELLULAR (1800 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1800 to 1900 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1900 to 2000 MHz)
Bipolar
BASE STATIONS (1800 to 2000 MHz) CLASS AB OPERATION
Bipolar
Note
1.
In a SOT409 SMD package.
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
2
1
BFG540W/X
BFG540W/X
BFG10W/X
BFG10W/X
BLT14
BLT13
1.6
2
4.8
6
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
LLE18010X
LLE18010X
BGY1916
LLE18010X
LLE18010X
LLE18040X
LLE18040X
LFE20500X
LLE18040X
LLE18040X
LLE18150X
LLE18150X
15
50
50
75
90
24
24
26
24
24
2
×
LLE18300X
LLE18150X
LLE18300X
2
×
LXE18400X
2
×
LFE20500X
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
LLE18010X
LLE18010X
BGY1816
LLE18010X
LLE18010X
LLE18040X
LLE18040X
LFE18500X
LLE18040X
LLE18040X
LLE18150X
LLE18150X
15
50
50
75
90
24
24
26
24
24
2
×
LLE18300X
LLE18150X
LLE18300X
2
×
LXE18400X
2
×
LFE18500X
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
25
60
120
250
BGY1816; BGY1916
BLV2040
(1)
BLV2040
(1)
BLV2042
(1)
15
15
25
50
26
26
26
26
BLV2042
(1)
BLV2044
BLV2044
BLV2044
BLV2045
2
×
BLV2045
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLV2045 RF Power Transistors for UHF
BLV94 RF Power Transistors for UHF
BLV945A RF Power Transistors for UHF
BLV95 RF Power Transistors for UHF
BLW89 RF Power Transistors for UHF
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參數(shù)描述
BLV108 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLV108
BLV11 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLV12 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:VHF power transistor
BLV15BE 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:WARTUNGSMITTEL BLOC LUBE GRUEN
BLV15ML 制造商:Electrolube 功能描述:ADHESVE, ANTI TAMPER, GREEN, 15ML