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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLH3355 |
| 廠商： | 上海貝嶺股份有限公司 |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP |
| 中文描述： | npn型外延硅射頻晶體管芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | BLH3355 |
BLH3355
http://www.belling.com.cn
- 1 -
8/18/2006
Total
2 Pages
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP (BLH3355)
Description
NPN epitaxial silicon RF transistor for
microwave low-noise amplification
Features
Low noise and high gain bandwidth product
High power gain
Applications
UHF / VHF wide band amplifier
Structure
Size
Planar type
Electrodes: Aluminum alloy
Backside metal: Au alloy
Chip size: 370
μ
m ×370
μ
m
Chip thickness: 220±20
μ
m.
Pad size:
φ
100
μ
m
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Parameter
Value
20
12
3.0
100
200
150
65 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25
o
C unless otherwise specified
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
Parameter
Test conditions
V
CB
=10V, I
E
=0mA
V
EB
=1.0V, I
C
=0mA
V
CE
=10V, I
C
=20mA
Min.
-
-
50
Typ.
-
-
120
Max.
1.0
1.0
250
Unit
μ
A
μ
A
nA
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLH3356B | BLH3356B |
| BLH3356 | BLH3356 |
| BLH4083B | BLH4083B |
| BLH4083 | BLH4083 |
| BLH4901B | BLH4901B |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLH3356 | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLH3356 |
| BLH3356B | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLH3356B |
| BLH4083 | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLH4083 |
| BLH4083B | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLH4083B |
| BLH4901B | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLH4901B |
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