參數(shù)資料
型號(hào): BLF900S-110
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Base station LDMOS transistors
中文描述: UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: CERAMIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 5/13頁(yè)
文件大小: 137K
代理商: BLF900S-110
2004 Feb 04
5
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF900-110; BLF900S-110
handbook, halfpage
10
14
18
60
0
20
40
MLE343
1
Gp
(dB)
Gp
10
Pout (W)
10
3
10
2
η
D
(%)
η
D
Fig.3
Power gain and efficiency as functions of
load power; typical values.
V
DS
= 27 V; I
DQ
= 700 mA; f = 890 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
0
40
PL(PEP) (W)
80
120
13
17
16
15
14
η
D
(%)
40
50
0
30
20
10
MLE344
Gp
η
D
Fig.4
Power gain and efficiency as functions of
peak envelope load power; typical values.
V
DS
= 27 V; I
DQ
= 700 mA; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
60
40
20
MLE345
1
10
PL(PEP) (W)
10
3
10
2
(1)
(2)
(3)
V
DS
= 27 V; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
(1) I
DQ
= 600 mA.
Fig.5
Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope load power;
typical values.
(2) I
DQ
= 800 mA.
(3) I
DQ
= 700 mA.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
80
40
20
60
MLE346
1
10
PL(PEP) (W)
10
3
10
2
(1)
(3)
(2)
V
DS
= 27 V; I
DQ
= 700 mA; f
1
= 890.0 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
(1) d
3
.
(2) d
5
.
Fig.6
Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope load power;
typical values.
(3) d
7
.
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