參數(shù)資料
型號： BLF1822-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： BLF1822-10
2003 Feb 10
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF1822-10
APPLICATION INFORMATION 960 MHz
RF performance in a common source class-AB circuit. T
h
= 25
°
C; R
th mb-h
= 0.4 K/W; unless otherwise specified.
Ruggedness in class-AB operation
The BLF1822-10 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 10 : 1 through all phases under
the following conditions: V
DS
= 26 V; f = 960 MHz at rated load power.
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
I
DQ
(mA)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
D
(%)
d
im
(dBc)
typ.
33
CW, class-AB (2-tone)
f
1
= 960; f
2
= 960.1
26
85
10 (PEP)
typ. 18.5
typ. 39
handbook, halfpage
(dB)
η
D
(%)
η
D
16
8
0
20
12
4
60
20
0
40
30
10
50
MGW652
0
8
4
12
16
20
PL (PEP) (W)
Gp
Fig.12 Power gain and efficiency as functions of
peak envelope load power; typical values.
V
DS
= 26 V; I
DQ
= 85 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 960 MHz; f
2
= 960.1 MHz.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
8
4
12
16
20
PL (PEP) (W)
20
60
80
40
MGW653
d3
d5
d7
V
DS
= 26 V; I
DQ
= 85 mA; T
≤
25
°
C;
f
1
= 960 MHz; f
2
= 960.1 MHz.
Fig.13 Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
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BLF182XRSU 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28dB 250W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:108MHz 增益:28dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:250W 電壓 - 額定:135V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
BLF182XRU 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28dB 250W 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:108MHz 增益:28dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:250W 電壓 - 額定:135V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
BLF183XRSU 功能描述:FET RF 2CH 135V 108MHZ SOT1121B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:108MHz 增益:28dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:350W 電壓 - 額定:135V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應(yīng)商器件封裝:CDFM4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
BLF183XRU 功能描述:FET RF 2CH 135V 108MHZ SOT1121A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙），共源 頻率:108MHz 增益:28dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:350W 電壓 - 額定:135V 封裝/外殼:SOT-1121A 供應(yīng)商器件封裝:CDFM4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20
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