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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLC6G22LS-130 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOT896-1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | BLC6G22LS-130 |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006
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Date of release: 30 January 2006
Document number: BLC6G22-100_6G22LS-100_1
Published in The Netherlands
Philips Semiconductors
BLC6G22-100; BLC6G22LS-100
UHF power LDMOS transistor
16. Contents
1
1.1
1.2
1.3
2
3
4
5
6
7
7.1
8
9
10
11
12
13
14
15
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
General description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Application information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Ruggedness in class-AB operation. . . . . . . . . . 3
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Abbreviations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Contact information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLD-1 | SPRING BALANCER 0.4-1KG |
| BLD-2 | SPRING BALANCER 1-2KG |
| BLD-3 | SPRING BALANCER 2-3KG |
| BLF0810-90 | Base station LDMOS transistors |
| BLF0810S-90 | Base station LDMOS transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLC6G22LS-75 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Power LDMOS transistor |
| BLC6G22LS-75,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Single 65V 18A 0.15Ohms RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLC6G27-100,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLC6G27-100,118 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| BLC6G27LS-100,112 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 Single RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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