參數(shù)資料
型號： BLA1011-200
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | SOT-502A
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）決策支持系統(tǒng)|采用SOT - 502A
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： BLA1011-200
2001 May 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
Avionics LDMOS transistor
BLA1011-200
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Thermal resistance is determined under RF operating conditions; t
p
= 50
μ
s,
δ
= 10 %.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
APPLICATION INFORMATION
RF performance in a common source class-AB circuit. T
h
= 25
°
C; Z
th mb-h
= 0.15 K/W, unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
h
= 25
°
C; note 1
VALUE
UNIT
Z
th j-h
thermal impedance from junction to heatsink
0.15
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
9
60
MAX.
5
1
1
UNIT
V
(BR)DSS
V
GSth
I
DSS
I
DSX
I
GSS
g
fs
R
DSon
drain-source breakdown voltage
gate-source threshold voltage
drain-source leakage current
on-state drain current
gate leakage current
forward transconductance
drain-source on-state resistance
V
GS
= 0; I
D
= 3 mA
V
DS
= 10 V; I
D
= 300 mA
V
GS
= 0; V
DS
= 36 V
V
GS
= V
GSth
+ 9 V; V
DS
= 10 V
V
GS
=
±
20 V; V
DS
= 0
V
DS
= 10 V; I
D
= 10 A
V
GS
= 9 V; I
D
= 10 A
75
4
45
V
V
μ
A
A
μ
A
S
m
MODE OF OPERATION
f
(MHz)
V
DS
(V)
I
DQ
(mA)
P
L
(W)
G
p
(dB)
η
D
(%)
Pulsed class-AB;
t
p
= 50
μ
s;
δ
= 2 %
1030 to 1090
36
150
200
>13
>45
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLA1011-200R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Avionics LDMOS transistors
BLA1011-200R,112 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TRANS LDMOS NCH 75V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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