參數(shù)資料
型號: BL7442LV
廠商: 上海貝嶺股份有限公司
英文描述: BL7442
中文描述: BL7442
文件頁數(shù): 2/11頁
文件大?。?/td> 390K
代理商: BL7442LV
BL7442LV 2K 位 EEPROM 邏輯加密存
儲卡
四、功能描述
http://www.belling.com.cn
- 2 -
8/16/2006
Total
11 Pages
1
、原理框圖
BL7442LV
電路原理如圖
1
所示。
主 存 貯 區(qū)
保 護(hù) 存 貯 區(qū)
3 1
可 由 保 護(hù) 位
封 鎖 的 字 節(jié)
E E P R O M
2 5 6 X 8
2 5 5
3 2
3 1
0
0
3
2
1
0
參 考 數(shù) 據(jù)
參 考 數(shù) 據(jù)
參 考 數(shù) 據(jù)
數(shù) 據(jù)
P S C
地 址
數(shù) 據(jù)
地 址
地 址
數(shù) 據(jù)
8
5
2 L S B
存 貯 區(qū)
/
保 護(hù)
/
加 密
E C
保 密 存 貯 區(qū)
譯 碼 器
位 線 取 樣
編 程
控 制
接 口
時 序 和
加 密 邏 輯
復(fù) 位
加 電 檢 測
地 址
,
數(shù) 據(jù)
寄 存 器
,
比 較 器
V C C
G N D
I/O
R S T
C LK
高 壓 發(fā) 生 器
基 準(zhǔn) 電 流
發(fā) 生 器
1
電路原理框圖
2
、功能描述
BL7442LV
為一款
2K
位存儲卡電路,具有一個
256
字節(jié)的
E2PROM
主存儲區(qū)
(
見框圖
)
和一個
32
PROM
保護(hù)存儲區(qū)。主存儲區(qū)按字節(jié)進(jìn)行擦除和寫入。擦除時,數(shù)據(jù)字節(jié)的
8
位都置為邏輯
1
;寫入時
,E2PROM
各單元的信息,可根據(jù)輸入數(shù)據(jù)按位改寫成邏輯
"0"(EEPROM
中數(shù)據(jù)與輸入的新數(shù)據(jù)進(jìn)行邏輯與
)
。通常,一次數(shù)據(jù)的改寫過程由一次擦除
和一次寫入過程組成。
E2PROM
單元是否真的被擦除和
(
)
寫入取決于主存儲區(qū)中數(shù)據(jù)字節(jié)
和新的數(shù)據(jù)字節(jié)的內(nèi)容。如果指定位字節(jié)的
8
位沒有一位需要
0
1
的翻轉(zhuǎn)
,
就跳過擦除操
作。反之,如果不需要
1
0
的翻轉(zhuǎn)
,
就省卻寫入操作。寫和擦除的工作至少
需要 2.5ms。
主存儲區(qū)的起始 32 個字節(jié)可以通過寫保護(hù)存儲區(qū)中對應(yīng)的位而不可逆轉(zhuǎn)地防止被
改寫。該地址范圍內(nèi)的每個數(shù)據(jù)字節(jié)與保護(hù)存儲區(qū)中的一位相對應(yīng),而且與主存貯器具
有相同的地址。保護(hù)位一旦寫入就不能再擦除。
BL7442LV 還提供一個控制對存儲區(qū)進(jìn)行寫入/擦除操作的密碼邏輯。為此包含了一個
具有出錯計數(shù)器 EC(位 0 至位 2)和 3 字節(jié)參考數(shù)據(jù)的 4 字節(jié)保密存儲區(qū)(見框圖)。這 3
個字節(jié)作為一個整體而成為可編程密碼(PSC)。對 BL7442LVB 型而言,加電后,除這些
參考數(shù)據(jù)外,整個存儲區(qū)只能被讀取。只有在校驗數(shù)據(jù)和內(nèi)部參考數(shù)據(jù)比較相同后才可
能進(jìn)行寫入和擦除操作。對于 BL7442LVA 型而言,加電后,整個存儲區(qū)都不能被讀取,
除 EC 外,整個存儲區(qū)也都不能被寫入和擦除。只有在校驗數(shù)據(jù)和內(nèi)部參考數(shù)據(jù)比較相
同后才可進(jìn)行讀出、寫入和擦除操作。密碼比較有三次機(jī)會,在三次比較失敗后,出錯
計數(shù)器就封鎖所有后續(xù)的任何嘗試,即禁止對電路的任何擦、寫、讀(僅對 A 型)操作。
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