
BL7442LV 2K 位 EEPROM 邏輯加密存
儲(chǔ)卡
四、功能描述
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8/16/2006
Total
11 Pages
1
、原理框圖
BL7442LV
電路原理如圖
1
所示。
主 存 貯 區(qū)
保 護(hù) 存 貯 區(qū)
3 1
可 由 保 護(hù) 位
封 鎖 的 字 節(jié)
E E P R O M
2 5 6 X 8
2 5 5
3 2
3 1
0
0
3
2
1
0
參 考 數(shù) 據(jù)
參 考 數(shù) 據(jù)
參 考 數(shù) 據(jù)
數(shù) 據(jù)
P S C
地 址
數(shù) 據(jù)
地 址
地 址
數(shù) 據(jù)
8
5
2 L S B
存 貯 區(qū)
主
/
保 護(hù)
/
加 密
E C
保 密 存 貯 區(qū)
譯 碼 器
位 線 取 樣
編 程
控 制
接 口
時(shí) 序 和
加 密 邏 輯
復(fù) 位
加 電 檢 測(cè)
地 址
,
數(shù) 據(jù)
寄 存 器
,
比 較 器
V C C
G N D
I/O
R S T
C LK
高 壓 發(fā) 生 器
基 準(zhǔn) 電 流
發(fā) 生 器
圖
1
電路原理框圖
2
、功能描述
BL7442LV
為一款
2K
位存儲(chǔ)卡電路,具有一個(gè)
256
字節(jié)的
E2PROM
主存儲(chǔ)區(qū)
(
見(jiàn)框圖
)
和一個(gè)
32
位
PROM
保護(hù)存儲(chǔ)區(qū)。主存儲(chǔ)區(qū)按字節(jié)進(jìn)行擦除和寫(xiě)入。擦除時(shí),數(shù)據(jù)字節(jié)的
8
位都置為邏輯
1
;寫(xiě)入時(shí)
,E2PROM
各單元的信息,可根據(jù)輸入數(shù)據(jù)按位改寫(xiě)成邏輯
"0"(EEPROM
中數(shù)據(jù)與輸入的新數(shù)據(jù)進(jìn)行邏輯與
)
。通常,一次數(shù)據(jù)的改寫(xiě)過(guò)程由一次擦除
和一次寫(xiě)入過(guò)程組成。
E2PROM
單元是否真的被擦除和
(
或
)
寫(xiě)入取決于主存儲(chǔ)區(qū)中數(shù)據(jù)字節(jié)
和新的數(shù)據(jù)字節(jié)的內(nèi)容。如果指定位字節(jié)的
8
位沒(méi)有一位需要
0
至
1
的翻轉(zhuǎn)
,
就跳過(guò)擦除操
作。反之,如果不需要
1
至
0
的翻轉(zhuǎn)
,
就省卻寫(xiě)入操作。寫(xiě)和擦除的工作至少
需要 2.5ms。
主存儲(chǔ)區(qū)的起始 32 個(gè)字節(jié)可以通過(guò)寫(xiě)保護(hù)存儲(chǔ)區(qū)中對(duì)應(yīng)的位而不可逆轉(zhuǎn)地防止被
改寫(xiě)。該地址范圍內(nèi)的每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)與保護(hù)存儲(chǔ)區(qū)中的一位相對(duì)應(yīng),而且與主存貯器具
有相同的地址。保護(hù)位一旦寫(xiě)入就不能再擦除。
BL7442LV 還提供一個(gè)控制對(duì)存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行寫(xiě)入/擦除操作的密碼邏輯。為此包含了一個(gè)
具有出錯(cuò)計(jì)數(shù)器 EC(位 0 至位 2)和 3 字節(jié)參考數(shù)據(jù)的 4 字節(jié)保密存儲(chǔ)區(qū)(見(jiàn)框圖)。這 3
個(gè)字節(jié)作為一個(gè)整體而成為可編程密碼(PSC)。對(duì) BL7442LVB 型而言,加電后,除這些
參考數(shù)據(jù)外,整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)只能被讀取。只有在校驗(yàn)數(shù)據(jù)和內(nèi)部參考數(shù)據(jù)比較相同后才可
能進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作。對(duì)于 BL7442LVA 型而言,加電后,整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)都不能被讀取,
除 EC 外,整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)也都不能被寫(xiě)入和擦除。只有在校驗(yàn)數(shù)據(jù)和內(nèi)部參考數(shù)據(jù)比較相
同后才可進(jìn)行讀出、寫(xiě)入和擦除操作。密碼比較有三次機(jī)會(huì),在三次比較失敗后,出錯(cuò)
計(jì)數(shù)器就封鎖所有后續(xù)的任何嘗試,即禁止對(duì)電路的任何擦、寫(xiě)、讀(僅對(duì) A 型)操作。