參數(shù)資料
型號： BGY916
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： UHF amplifier module
中文描述： 920 MHz - 960 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： PLASTIC, SOT-365A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： BGY916
1998 May 27
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier module
BGY916
Fig.2
Load power as a function of frequency;
typical values.
V
S1
= V
S2
= 26 V; Z
S
= Z
L
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(dBm)
0
10
20
30
40
900
920
940
960
f (MHz)
MBG286
980
PD (dBm)
+
15
+
12
+
9
+
6
+
3
0
Fig.3
Power gain and efficiency as functions of
frequency; typical values.
V
S1
= V
S2
= 26 V; P
L
= 16 W; Z
S
= Z
L
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(dB)
0
900
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
920
940
960
f (MHz)
MBG287
980
Gp
η
(%)
η
Fig.4
Harmonics as a function of frequency;
typical values.
V
S1
= V
S2
= 26 V; P
L
= 16 W; Z
S
= Z
L
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(dBc)
70
60
50
40
30
900
920
940
960
f (MHz)
H
2
H
3
MBG285
2
3
980
Fig.5
Load power as a function of supply
voltage; typical values.
f = 940 MHz; V
S2
= 26 V; Z
S
= Z
L
= 50
; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
PL
(dBm)
0
10
20
VS1 (V)
30
30
10
30
10
MGD185
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