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參數(shù)資料
| 型號： | BGY206 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | UHF amplifier module |
| 中文描述： | 880 MHz - 915 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT388B, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | BGY206 |
1998 May 08
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF amplifier module
BGY206
Fig.2
Load power as a function of control voltage;
typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; V
S
= 4.8 V; P
D
= 3 mW;
T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s.
handbook, halfpage
PL
(dBm)
1.2
1.6
3.6
3.2
30
-10
-30
10
MGD352
2.0
2.4
2.8
VC (V)
880 MHz
915 MHz
Fig.3
Load power as a function of drive power;
typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; V
S
= 4.8 V; adjust V
C
for P
L
= 3 W;
T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s.
15
10
25
20
5
0
PD (dBm)
5
10
0
10
20
30
40
PL
(dBm)
MGD353
880 MHz
915 MHz
Fig.4
Load power as a function of supply voltage;
typical values.
Z
S
= Z
= 50
; V
= 3.5 V; P
D
= 3 mW;
T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s.
handbook, halfpage
4
5
6
7
VS (V)
PL
(W)
0
2
4
MBK512
880 MHz
915 MHz
Fig.5
Efficiency as a function of load power;
typical values.
Z
S
= Z
L
= 50
; V
S
= 4.8 V; P
D
= 3 mW;
T
mb
= 25
°
C;
δ
= 1 : 8; t
p
= 575
μ
s
handbook, halfpage
η
(%)
0
1
40
20
0
10
30
MGD355
2
3
4
PL
880 MHz
915 MHz
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