參數(shù)資料
型號： BGE884
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： PV 61C 61#20 SKT RECP
中文描述： 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： BGE884
1997 Apr 14
2
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier module
BGE884
FEATURES
Excellent linearity
Extremely low noise
Silicon nitride passivation
Rugged construction
Gold metallization ensures
excellent reliability.
DESCRIPTION
Hybrid amplifier module for
CATV/MATV systems operating over
a frequency range of 40 to 860 MHz
at a voltage supply of 24 V (DC).
PINNING - SOT115G
Note
1.
Pins 1 and 9 carry DC voltages.
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
5
6
7
8
9
input (note 1)
common
common
common
common
common
+V
B
output (note 1)
Fig.1 Simplified outline.
fpage
1 2 3
5
7 8 9
MSB049 - 2
6
Side view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
G
p
I
tot
power gain
total current consumption (DC) V
B
= 24 V
f = 50 MHz
16.5
17.5
150
dB
mA
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
V
B
V
i
T
stg
T
mb
DC supply voltage
RF input voltage
storage temperature
operating mounting base temperature
40
20
26
65
+100
+100
V
dBmV
°
C
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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