參數(shù)資料
型號(hào)： BGD812
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 運(yùn)動(dòng)控制電子
英文描述： Hybrid amplifier module operating with a voltage supply of 24 V (DC).
封裝： BGD812<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 282K
代理商： BGD812
2001 Oct 30
7
NXP Semiconductors
Product specification
860 MHz, 18.5 dB gain power doubler
amplifier
BGD812
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A2
max.
c
e
e1
q
Q
max.
q1
q2
U2
U1
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
20.8
9.5
0.51
0.38
0.25 27.2
2.04
2.54
13.75 2.54 5.08 12.7 8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2 4.2
44.75
44.25
8.2
7.8
0.25
0.1
3.8
b
F
p
6-32
UNC
y
w
0.7
x
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
7
8
9
2
3
W
e
e1
5
p
1
d
x
M
B
y
M
B
B
04-02-04
10-06-18
y
M
B
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PDF描述
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參數(shù)描述
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