參數(shù)資料
型號： BGD802N
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： MS3471L14-4P
中文描述： 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER
封裝： SOT115J, 9 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： BGD802N
1999 Mar 22
8
Philips Semiconductors
Product specification
CATV amplifier module
BGD802N
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A2
max.
c
e
e1
q
Q
max.
q1
q2
U1
max.
U2
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
20.8
9.1
0.51
0.38
0.25 27.2 2.54 13.75 2.54 5.08 12.7
8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2
4.2 44.75
8
0.25
0.1
3.8
b
F
p
6-32
UNC
y
w
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
7
8
9
2
3
W
e
e1
5
p
1
d
max.
y
M
B
y
M
B
B
99-02-06
y
M
B
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PDF描述
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參數(shù)描述
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