參數(shù)資料
型號： BFX29
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
封裝： TO-39, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 19K
代理商： BFX29
Parameter
Test Conditions
V
EB
= 5.0V
V
EB
= 3V
V
CB
=60V
V
CB
=50V
Min.
Typ.
30
1.0
1.0
0.5
0.03
90
40
125
125
90
Max.
500
100
500
50
2.0
Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj= 25°C unless otherwise stated)
BFX29
Prelim.5/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
I
C
= 0
I
C
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
T
j
= 100°C
I
C
= 0.1mA
I
C
= 1mA
I
C
= 10mA
I
C
= 50mA
I
C
= 150mA
V
CE
=10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
=10V
V
CE
= 10V
I
C
= 150mA
I
B
= 15mA
I
C
= 30mA
I
C
= 150mA
V
CB
= 10V
I
B
= 1.0mA
I
B
= 15mA
I
E
= I
e
=0
f=1.0MH
z
I
C
= I
c
=0
f=1.0MH
z
I
C
= 50mA
T
amb
= 25°C
V
EB
= 2.0V
V
CE
= 10V
f=100MH
z
Emitter Cut–off Current
Collector Cut–off Current
DC Current Gain
Collector – Emitter
Saturation Voltage
Base – Emitter Saturation Voltage
Collector Capactitance
Emitter Capactitance
Transistion Frequency
20
105
50
50
40
0.15
0.40
0.77
1.05
0.90
1.30
6
12
18
30
100
360
nA
nA
m
A
—
V
V
pF
MHz
I
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
C
tc
C
te
f
T
THERMAL CHARACTERISTICS
R
q
th(j-amb)
Thermal Resistance Junction to Ambient
292
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFX38 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BFX39 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BFX40 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BFX41 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BFY64 Bipolar PNP Device
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFX29_03 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BFX30 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述:
BFX3101 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述:
BFX3131 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述:
BFX3232 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述:
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