參數(shù)資料
型號： BFS25A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistor
封裝： BFS25A<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大?。?/td> 242K
代理商： BFS25A
December 1997
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFS25A
FEATURES
Low current consumption
Low noise figure
Gold metallization ensures
excellent reliability
SOT323 envelope.
DESCRIPTION
NPN transistor in a plastic SOT323
envelope.
It is designed for use in RF amplifiers
and oscillators in pagers and pocket
phones with signal frequencies up to
2 GHz.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
Code: N6
base
emitter
collector
1
2
3
Fig.1 SOT323.
handbook, 2 columns
3
1
2
MBC870
Top view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
50
3.5
TYP.
80
5
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
f
T
collector-base voltage
collector-emitter voltage
DC collector current
total power dissipation
DC current gain
transition frequency
open emitter
open base
8
5
6.5
32
200
V
V
mA
mW
up to T
s
= 170
C; note 1
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V; T
j
= 25
C
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
c
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
c
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain
13
dB
F
noise figure
1.8
dB
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
8
5
2
6.5
32
+150
175
V
V
V
mA
mW
C
C
up to T
s
= 170
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFS505 NPN 9 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
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BFS25A,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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