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參數(shù)資料
| 型號： | BFS25A |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFS25A<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 242K |
| 代理商： | BFS25A |
December 1997
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFS25A
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C, unless otherwise specified.
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
S
1
S
11
–
1
S
22
–
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
THERMAL RESISTANCE
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
up to T
s
= 170
C; note 1
190 K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
50
3.5
TYP.
80
0.3
5
MAX.
UNIT
I
CBO
h
FE
C
re
f
T
collector cut-off current
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V
I
C
= 0; V
CB
= 1 V; f = 1 MHz
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
s
=
opt
; I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
s
=
opt
; I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
C
50
200
0.45
nA
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power
gain (note 1)
noise figure
13
dB
F
1.8
dB
2
dB
G
UM
10 log
2
2
2
----------------------------------------------------------
dB.
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFS505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFT25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFS25A T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS25A,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS25A/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR RF SOT-223 |
| bfs25a115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BFS25AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 6.5MA I(C) | SOT-323 |
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