參數(shù)資料
型號： BFS19
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： CANMS3126F10-6PF0
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： BFS19
1
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
3
High Frequency Transistors
BFS 19
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
h
FE
65
–
225
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
BEon
650 mV
–
750 mV
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
f
T
–
260 MHz
–
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Feedback Capacitance – Rückwirkungskapazitt
C
CB0
–
1 pF
–
V
CB
= 10 V, I
C
= i
c
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
–
0.85 pF
–
R
thA
420 K/W
2
)
Marking - Stempelung
BFS 19 = F2
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PDF描述
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BFS19215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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