參數(shù)資料
型號: BFS17AW
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述: 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大?。?/td> 164K
代理商: BFS17AW
BFS17A/BFS17AR/BFS17AW
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
6 (10)
Rev. 4, 20-Jan-99
Document Number 85039
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
96 12159
P
t
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
5
10
15
20
25
30
I
C
– Collector Current ( mA )
13605
f
T
V
CE
=5V
f=300MHz
Figure 2. Transition Frequency vs. Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
V
CB
– Collector Base Voltage ( V )
13606
C
c
f=1MHz
Figure 3. Collector Base Capacitance vs.
Collector Base Voltage
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
I
C
– Collector Current ( mA )
13607
F
V
CE
=5V
f=800MHz
Z
S
=50
Figure 4. Noise Figure vs. Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFS17 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流25mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFS17 Silicon NPN Planar RF Transistor
BFS17R Silicon NPN Planar RF Transistor
BFS17W Silicon NPN Planar RF Transistor
BFT51F.A NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFS17H 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
BFS17HTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFS17HTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFS17L 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
BFS17LT1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SILICON