參數(shù)資料
型號： BFR92AW
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 163K
代理商： BFR92AW
BFR92A/BFR92AR/BFR92AW
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
2 (10)
Rev. 3, 20-Jan-99
Document Number 85033
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
15
2
30
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
Electrical DC Characteristics
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector cut-off current
Collector-base cut-off current
Emitter-base cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage I
C
= 1 mA, I
B
= 0
DC forward current transfer ratio
Test Conditions
Symbol
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
Min
Typ
Max Unit
100
100
10
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
EB
= 2 V, I
C
= 0
A
nA
A
V
15
65
V
CE
= 10 V, I
C
= 14 mA
100
150
Electrical AC Characteristics
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Test Conditions
Symbol
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
Min
Typ
6
0.3
0.15
0.65
1.8
Max
Unit
GHz
pF
pF
pF
dB
Transition frequency
Collector-base capacitance
Collector-emitter capacitance
Emitter-base capacitance
Noise figure
V
CE
= 10 V, I
C
= 14 mA, f = 500 MHz
V
CB
= 10 V, f = 1 MHz
V
CE
= 10 V, f = 1 MHz
V
EB
= 0.5 V, f = 1 MHz
V
CE
= 10 V, I
C
= 2 mA, Z
S
= 50 ,
f = 800 MHz
V
CE
= 10 V, Z
S
= 50 , Z
L
= Z
Lopt
,
I
C
= 14 mA, f = 800 MHz
V
CE
= 10 V, I
C
= 14 mA, d
IM
= 60 dB,
f
1
= 806 MHz, f
2
= 810 MHz,
Z
S
= Z
L
= 50
V
CE
= 10 V, I
C
= 14 mA, f = 800 MHz
Power gain
G
pe
16
dB
Linear output voltage – two
tone intermodulation test
V
1
= V
2
120
mV
Third order intercept point
IP
3
24
dBm
相關PDF資料
PDF描述
BFR92A Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,寬帶放大器應用的NPN平面型晶體管)
BFR92 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應用的NPN平面型晶體管)
BFR93AR Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR93A Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR93A Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流50mA,寬帶放大器應用的NPN平面型晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BFR92AW /T3 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin SC-70 T/R
BFR92AW,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE13 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR92AW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-323
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