參數(shù)資料
型號： BFR505T
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFR505T<SOT416 (SOT416)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,;
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 274K
代理商： BFR505T
2000 May 17
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFR505T
In Figs 6 to 9, G
UM
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain; G
max
= maximum available
gain.
handbook, halfpage
(dB)
MRC016
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
MSG
GUM
IC(mA)
Fig.6 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 6 V; f = 900 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
MRC017
0
5
10
15
0
2
4
6
8
MSG
GUM
Gmax
IC(mA)
Fig.7 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 6 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
(dB)
MRC015
0
10
2
10
20
30
40
10
1
1
10
f (GHz)
MSG
GUM
Gmax
Fig.8 Gain as a function of frequency.
I
C
= 1.25 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
(dB)
MRC014
0
10
2
10
20
30
40
10
1
1
10
f (GHz)
MSG
GUM
Gmax
Fig.9 Gain as a function of frequency.
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
C.
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