參數(shù)資料
型號(hào): BFR505
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 晶體管
英文描述: NPN 9 GHz wideband transistor
封裝: BFR505<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR505/C<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;
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代理商: BFR505
BFR505
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Product data sheet
Rev. 4 — 7 September 2011
5 of 14
NXP Semiconductors
BFR505
NPN 9 GHz wideband transistor
I
C
= 0 A; f = 1 MHz.
T
amb
= 25
C; f = 1 GHz.
(1) V
CE
= 6 V.
(2) V
CE
= 3 V.
Fig 4.
Transition frequency as a function of collector
current.
Fig 3.
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
V
CE
= 6 V; f = 900 MHz.
(1) MSG.
(2) G
UM
.
V
CE
= 6 V; f = 2 GHz.
(1) MSG.
(2) G
max
.
(3) G
UM
.
Fig 6.
Gain as a function of collector current.
Fig 5.
Gain as a function of collector current.
V
CB
(V)
0
10
8
4
6
2
mra720
0.2
0.1
0.3
0.4
C
re
(pF)
0
mra721
4
8
12
f
T
(GHz)
0
10
1
I
C
(mA)
10
2
10
1
(1)
(2)
mra764
I
C
(mA)
0
12
8
4
10
15
5
20
25
gain
(dB)
0
(1)
(2)
mra765
I
C
(mA)
0
12
8
4
10
15
5
20
25
gain
(dB)
0
(1)
(2)
(3)
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PDF描述
BFR505 NPN 9 GHz wideband transistor
BFR92AF Silicon NPN Planar RF Transistor
BFS17A NPN 3 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFR505,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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