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參數(shù)資料
| 型號： | BFR182TF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | BFR182TF |
www.vishay.com
2
Document Number 85101
Rev. 1.3, 28-Apr-05
BFR182TF
Vishay Semiconductors
Maximum Thermal Resistance
1)
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35
μ
m Cu
Electrical DC Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-emitter cut-off current
Parameter
Test condition
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
Junction ambient
1)
Test condition
Symbol
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
Min
Typ.
Max
100
Unit
μ
A
V
CE
= 15 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
I
C
= 1 mA, I
B
= 0
Collector-base cut-off current
100
nA
μ
A
Emitter-base cut-off current
1
Collector-emitter breakdown
voltage
Collector-emitter saturation
voltage
DC forward current transfer ratio V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
10
V
I
C
= 15 mA, I
B
= 1.5 mA
V
CEsat
0.1
0.4
V
h
FE
h
FE
50
90
V
CE
= 6 V, I
C
= 20 mA
100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS-222T | 1 ELEMENT, 2200 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| BFS-183B | 1 ELEMENT, 18000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| BFS-332B | 1 ELEMENT, 3300 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| BGA427 | 100 MHz - 1800 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| BGF113 | TVS DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFR182T-GS08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| BFR182TW | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFR182W | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RF TRANSISTOR SOT-323 |
| BFR182W_10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor |
| BFR182WE6327BTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 |
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