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參數(shù)資料
| 型號： | BFQ31 |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER) |
| 中文描述： | 外延平面NPN晶體管（高頻，甚高頻波段放大器） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | BFQ31 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFQ34 | NPN 4 GHz wideband transistor |
| BFQ38S | TRANSISTOR | BJT | PNP | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
| BFT79 | Bipolar PNP Device |
| BFQ57 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 35MA I(C) | TO-120 |
| BFQ58 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | SOT-173 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ31A | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
| BFQ31AR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
| BFQ31ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BFQ31ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BFQ31R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
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