參數資料
型號： BFQ270
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistor
中文描述： C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-172A1, 4 PIN
文件頁數： 6/12頁
文件大小： 133K
代理商： BFQ270
September 1995
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistor
BFQ270
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(W)
0
50
100
200
12
4
0
8
150
MRA747
Tcase (oC)
Fig.5
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 18 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
100
hFE
IC (mA)
50
0
100
500
200
300
400
MRA746
Fig.6
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
i
c
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
(pF)
0
20
0
1
2
3
VCB (V)
4
4
8
12
16
MRA736
Fig.7
Transition frequency as a function of
collector current.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
fT
(GHz)
0
100
500
6
2
0
4
IC (mA)
200
300
400
MRA741
VCE = 18 V
12 V
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