參數(shù)資料
型號： BFQ18A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 4 GHz wideband transistor
封裝： BFQ18A<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 227K
代理商： BFQ18A
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 4 GHz wideband transistor
BFQ18A
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
I
c
= 80 mA; V
CE
= 10 V; R
L
= 75
;
V
p
= V
o
= 700 mV; f
p
=795.25 MHz;
V
q
= V
o
6 dB; f
q
= 803.25 MHz;
V
r
= V
o
6 dB; f
r
= 805.25 MHz;
measured at f
(p
+
q-r)
= 793.25 MHz.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
THERMAL RESISTANCE
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
up to T
s
= 155
°
C (note 1)
20 K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
2
11
1.2
4
60
UNIT
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
d
im
DC current gain
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
transition frequency
intermodulation distortion (see Fig.2)
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 10 V; f = 10.7 MHz
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; f = 500 MHz
note 1
25
pF
pF
pF
GHz
dB
Rev. 03 - 28 September 2007
3 of 7
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PDF描述
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