參數(shù)資料
型號(hào): BFP182T
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon NPN Planar RF Transistor(低噪聲高增益放大器應(yīng)用的硅NPN平面型晶體管)
中文描述: 硅NPN平面射頻晶體管(低噪聲高增益放大器應(yīng)用的硅npn型平面型晶體管)
文件頁數(shù): 2/6頁
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代理商: BFP182T
BFP182T/BFP182TW/BFP182TRW
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
2 (6)
Rev. 3, 20-Jan-99
Document Number 85013
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
15
10
2
35
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFP182T Silicon NPN Planar RF Transistor
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參數(shù)描述
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