參數(shù)資料
型號： BFM505
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Dual NPN wideband transistor
封裝： BFM505<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 308K
代理商： BFM505
1996 Oct 08
5
NXP Semiconductors
Product specification
Dual NPN wideband transistor
BFM505
Fig.2
Power derating as a function of soldering
point temperature; typical values.
handbook, halfpage
0
50
100
200
400
0
MBG208
150
200
Ptot
(mW)
Ts (
o
C)
double loaded
single loaded
Fig.3
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
10
1
10
1
4
8
0
fT
(GHz)
IC (mA)
MGD687
VCE = 6V
3 V
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 6 V.
handbook, halfpage
hFE
MRA719
0
50
100
150
200
IC (mA)
10
2
10
1
10
3
1
10
10
2
Fig.5
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cre
(pF)
0
2
10
0.3
0.1
0
0.2
4
6
8
VCB (V)
MRA720
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