參數(shù)資料
型號： BFG67
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor(硅NPN平面型射頻晶體管)
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管（硅npn型平面型射頻晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： BFG67
BFG67
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 1, 11-Nov-99
3 (4)
Document Number 85074
Dimensions of BFG67 in mm
96 12240
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG92A Silicon NPN Planar RF Transistor(射頻放大器應(yīng)用的硅NPN平面型晶體管)
BFG92A Silicon NPN Planar RF Transistor
BFG93A Silicon NPN Planar RF Transistor(射頻放大器應(yīng)用的硅NPN平面型晶體管)
BFG93A Silicon NPN Planar RF Transistor
BFP181T Silicon NPN Planar RF Transistor(低噪聲高增益放大器應(yīng)用的硅NPN平面型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG67 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 380mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG67/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFG67/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors
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