參數(shù)資料
型號： BFG590W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN 5 GHz wideband transistors
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： BFG590W
1998 Oct 15
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG590W; BFG590W/X
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
90
5
MAX.
100
250
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
f
T
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage I
C
= 10 mA; I
B
= 0
emitter-base breakdown voltage
collector leakage current
DC current gain
transition frequency
I
C
= 0.1 mA; I
E
= 0
20
15
3
60
V
V
V
nA
I
E
= 0.1 mA; I
C
= 0
V
CB
= 10 V; I
E
= 0
I
C
= 70 mA; V
CE
= 8 V
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 900 MHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 2 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 80 mA; V
CE
= 4 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 80 mA; V
CE
= 5 V; f = 900 MHz;
R
L
= 50
; T
amb
= 25
°
C
GHz
C
re
G
UM
feedback capacitance
maximum unilateral power gain;
note 1
0.7
13
pF
dB
7.5
dB
|S
21
|
2
insertion power gain
11
dB
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
21
dBm
G
UM
10
S
)
1
2
1
S
11
–
(
S
22
2
–
(
)
-------------------------------------------------------------- dB.
log
=
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