參數(shù)資料
型號(hào)： BFG505
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
封裝： BFG505<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG505/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
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代理商： BFG505
NXP Semiconductors
BFG505; BFG505/X
NPN 9 GHz wideband transistors
NXP B.V. 2007.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 22 November 2007
Document identifier: BFG505_X_N_4
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Revision history
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Document ID
BFG505_X_N_4
Modifications:
BFG505_X_3
(9397 750 04348)
BFG505XR_CNV_2
BFG505XR_1
Release date
20071122
Marking table on page 2; changed code
19981002
Product specification
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BFG505_X_3
-
BFG505XR_CNV_2
19950901
19921101
Product specification
Product specification
-
-
BFG505XR_1
-
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參數(shù)描述
BFG505 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG505,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG505/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF
BFG505/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistors
BFG505/X T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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