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參數(shù)資料
| 型號： | BFG505 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG505<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG505/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47 |
| 文件頁數(shù)： | 6/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | BFG505 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistors
BFG505; BFG505/X
Fig.7 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 6 V; f = 2 GHz.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
4
IC (mA)
8
12
0
20
15
10
5
MRA643
MSG
GUM
Gmax
Fig.8 Gain as a function of frequency.
V
CE
= 6 V; I
C
= 1.25 mA.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MRA644
10
2
10
3
10
4
10
20
30
f (MHz)
40
GUM
MSG
Fig.9 Gain as a function of frequency.
V
CE
= 6 V; I
C
= 5 mA.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
MRA645
10
2
10
3
10
4
10
20
30
f (MHz)
40
GUM
MSG
Gmax
Fig.10 Minimum noise figure and associated
available gain as functions of collector
current.
V
CE
= 6 V.
handbook, halfpage
(dB)
0
1
2
5
0
5
10
Gass
(dB)
15
20
3
IC (mA)
4
MRA650
10
1
2000 MHz
1000 MHz
900 MHz
500 MHz
2000 MHz
1000 MHz
f = 900 MHz
Fmin
Gass
10
1
Rev. 04 - 22 November 2007
6 of 13
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFG505 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
| BFM505 | Dual NPN wideband transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG505 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG505,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG505/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG505/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistors |
| BFG505/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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