參數(shù)資料
型號(hào)： BFG403W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 17 GHz wideband transistor
封裝： BFG403W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
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代理商： BFG403W
1998 Mar 11
2
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 17 GHz wideband transistor
BFG403W
FEATURES
Low current
Very high power gain
Low noise figure
High transition frequency
Very low feedback capacitance.
APPLICATIONS
Pager front ends
RF front end
Wideband applications, e.g. analog and digital cellular
telephones, cordless telephones (PHS, DECT, etc.)
Radar detectors.
DESCRIPTION
NPN double polysilicon wideband transistor with buried
layer for low voltage applications in a plastic, 4-pin
dual-emitter SOT343R package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
emitter
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline SOT343R.
Marking code:
P3.
handbook, halfpage
Top view
MSB842
2
1
4
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
50
TYP.
3
80
20
17
22
1
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
C
re
f
T
G
max
F
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
maximum power gain
noise figure
open emitter
open base
10
4.5
3.6
16
120
V
V
mA
mW
T
s
140
C
I
C
= 3 mA; V
CE
= 2 V; T
j
= 25
C
I
C
= 0; V
CB
= 2 V; f = 1 MHz
I
C
= 3 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 3 mA; V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 1 mA; V
CE
= 2 V; f = 900 MHz;
S
=
opt
fF
GHz
dB
dB
CAUTION
This product is supplied in anti-static packing to prevent damage caused by electrostatic discharge during transport
and handling.
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PDF描述
BFG403W NPN 17 GHz wideband transistor
BFG410W NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W NPN 22 GHz wideband transistor
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參數(shù)描述
BFG403W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 4.5V 17GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
bfg403w115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 4.5V 17GHZ
BFG410 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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