參數(shù)資料
型號: BFG310W
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 晶體管
英文描述: NPN 14 GHz wideband transistor
封裝: BFG310W/XR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;
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代理商: BFG310W
BFG310W_XR
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Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2011
10 of 13
NXP Semiconductors
BFG310W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
10. Revision history
Table 10.
Document ID
BFG310W_XR v.2
Modifications:
Revision history
Release date
20110915
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20050202
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
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Supersedes
BFG310W_XR v.1
BFG310W_XR v.1
(9397 750 14245)
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PDF描述
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參數(shù)描述
BFG310W/XR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG310W/XR NPN 14GHz wideband transistor
BFG310W/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310W/XR,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310W/XR115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFG310XR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor