參數(shù)資料
型號(hào)： BFG310W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 晶體管
英文描述： NPN 14 GHz wideband transistor
封裝： BFG310W/XR<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
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代理商： BFG310W
BFG310W_XR
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Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BFG310W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
V
CE
= 3 V; I
C
= 5 mA.
Common emitter reverse transmission coefficient (s
12
); typical values
Fig 7.
V
CE
= 3 V; I
C
= 5 mA; Z
o
= 50
.
Common emitter output reflection coefficient (s
22
); typical values
Fig 8.
001aac183
90
°
90
°
45
°
135
°
45
°
135
°
0
°
0
180
°
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
40 MHz
3 GHz
001aac184
90
°
90
°
5
0.5
0.2
+
0.2
0
+
2
+
5
5
2
0.2
+
0.5
0.5
+
1
1
2
1
10
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
45
°
135
°
45
°
135
°
180
°
0
°
3 GHz
40 MHz
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PDF描述
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BFG310W/XR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG310W/XR NPN 14GHz wideband transistor
BFG310W/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310W/XR,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310W/XR115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFG310XR 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
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