參數(shù)資料
型號(hào): BFG310
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 晶體管
英文描述: NPN 14 GHz wideband transistor
封裝: BFG310/XR<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù): 8/13頁(yè)
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代理商: BFG310
BFG310_XR
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Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2011
8 of 13
NXP Semiconductors
BFG310/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
Table 9.
Designation
C
CB
C
BE
C
CE
C_base_pad
C_emitter_pad
L
B
L
E
L
1
L
2
L
3
Fig 9.
Package equivalent circuit of SOT143R
List of components; see
Figure 9
Value
17
84
191
67
142
0.95
0.40
0.12
0.21
0.06
Unit
fF
fF
fF
fF
fF
nH
nH
nH
nH
nH
BJT1
C_base_pad
L
B
C
CB
CHIP
L
1
C
BE
L
E
L
3
L
2
C
CE
C_emitter_pad
001aac155
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參數(shù)描述
BFG310/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310/XR,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG310W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310W/XR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BFG310W/XR NPN 14GHz wideband transistor
BFG310W/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel