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參數(shù)資料
| 型號： | BFG25A |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG25A/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | BFG25A |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFG25A/X
Fig.6
Gain as a function of collector current;
typical values.
V
CE
= 1 V; f = 500 MHz.
GUM = maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain.
handbook, halfpage
20
10
0
MCD141
gain
(dB)
IC
0
1.0
2.5
0.5
1.5
2.0
MSG
GUM
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
V
CE
= 1 V; f = 1 GHz.
GUM = maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
1.0
2.5
15
5
0
10
MCD142
0.5
1.5
2.0
IC
MSG
GUM
Fig.8
Gain as a function of frequency;
typical values.
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V.
GUM = maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
MCD143
10
10
2
10
3
10
4
0
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Fig.9
Gain as a function of frequency;
typical values.
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V.
GUM = maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain.
handbook, halfpage
(dB)
MCD144
10
10
2
10
3
10
4
0
10
20
30
40
f (MHz)
GUM
MSG
Rev. 04 - 27 November 2007
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG310W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG310W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG310W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG310 | NPN 14 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG25A/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A/X T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG25A/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG25AW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistors |
| BFG25AW/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistors |
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