參數(shù)資料
型號(hào)： BFG197W
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 10V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 343
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
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代理商： BFG197W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG197 NPN 7 GHz wideband transistor
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BFG520XR NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管)
BFG621 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFG67W NPN 8 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG197W/X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
BFG197W/XR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343R
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BFG198 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG198,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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