參數(shù)資料
型號： BFG10W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN wideband transistor
封裝： BFG10W/X<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 240K
代理商： BFG10W
1995 Sep 22
3
NXP Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BFG10W/X
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C (unless otherwise specified).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector cut-off current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
open emitter; I
C
= 0.1 mA
open base; I
C
= 5 mA
open collector; I
E
= 0.1 mA
V
CE
= 6 V; V
BE
= 0
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 6 V; f = 1 MHz
20
10
2.5
25
100
3
2
V
V
V
A
pF
pF
Fig.2 Transient thermal impedance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
handbook, full pagewidth
MBG431
10
5
10
6
10
4
10
3
10
2
10
1
1
3
10
2
10
1
Zth j-a
(K/W)
tp (s)
δ
= 1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
tp
T
P
t
tp
T
δ
=
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BFG10W/X115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BFG10W/XT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | SOT-343
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