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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF979 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon PNP Planar RF Transistor |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨射頻硅平面晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | BF979 |
BF979
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
3 (5)
Document Number 85006
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
12845
P
t
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
0
5
10
15
20
25
30
35
–I
C
– Collector Current ( mA )
12848
f
T
–V
CB
=10V
f=300MHz
Figure 2. Transition Frequency vs. Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
–V
CB
– Collector Base Voltage ( V )
12876
C
c
Figure 3. Collector Base Capacitance vs.
Collector Base Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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