參數資料
型號： BF909AWR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 7V V(BR)DSS | 40MA I(D) | SOT-343R
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 7伏五（巴西）直| 40MA（丁）|的SOT - 343R
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代理商： BF909AWR
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PDF描述
BF990A N-channel dual-gate MOS-FET(N溝道雙柵極場效應管)
BF997 ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
BFC14 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 56A I(D) | SOT-227B
BFC15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 33A I(D) | SOT-227B
BFC16 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 40A I(D) | SOT-227B
相關代理商/技術參數
參數描述
BF909AWR T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909AWR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143
BF909R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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