參數(shù)資料
型號(hào)： BF901
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-143, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商： BF901
November 1992
4
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
BF901; BF901R
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C.
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Measuring conditions (common source): I
D
= 14 mA; V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
amb
= 25
°
C.
SYMBOL
±
I
G1-SS
±
I
G2-SS
±
V
(BR)G1-SS
±
V
(BR)G2-SS
V
G1-S(th)
V
G2-S(th)
I
DSX
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
6
6
0
0.3
2
MAX.
UNIT
gate 1 cut-off current
gate 2 cut-off current
gate 1-source breakdown voltage
gate 2-source breakdown voltage
gate 1-source threshold voltage
gate 2-source threshold voltage
drain-source current
±
V
G1-S
= 5 V; V
G2-S
= V
DS
= 0
±
V
G2-S
= 5 V; V
G1-S
= V
DS
= 0
±
I
G1-SS
= 10 mA; V
G2-S
= V
DS
= 0
±
I
G2-SS
= 10 mA; V
G1-S
= V
DS
= 0
I
D
= 20
μ
A; V
DS
= 8 V; V
G2-S
= 4 V
I
D
= 20
μ
A; V
DS
= 8 V; V
G1-S
= 0
V
DS
= 4 V; V
G1-S
= 1.1 V; V
G2-S
= 3.4 V
50
50
20
20
0.7
1
18
nA
nA
V
V
V
V
mA
SYMBOL
Y
fs
C
ig1-s
C
ig2-s
C
os
C
rs
F
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
transfer admittance
input capacitance at gate 1
input capacitance at gate 2
output capacitance
feedback capacitance
noise figure
pulsed; T
j
= 25
°
C
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 200 MHz; G
s
= 2 mS; B
s
= B
sopt.
f = 800 MHz; G
s
= 3.3 mS; B
s
= B
sopt.
25
28
2.35
1.2
1.4
25
0.7
1.7
35
2.75
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF901R Silicon n-channel dual gate MOS-FETs
BF960 N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FIELDEFFECT TETRODE.DEPLETION MODE
BFC505 NPN wideband cascode transistor
BFC520 KPSE 21C 21#16 SKT RECP
BFG10X UHF power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF901R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
BF901RT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R
BF901T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143
BF904 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET DUAL GATE N CH RF SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, DUAL GATE, N CH, RF, SOT-143
BF904 T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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