參數(shù)資料
型號： BF861C-T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 13/13頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BF861C-T
9397 750 13395
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 24 September 2004
9 of 13
Philips Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
VDS =8V.
VGS =0V.
Tamb = 25 °C.
Fig 18. Common-source output admittance; typical values.
mbd477
10
1
102
gos, bos
(mS)
101
f (MHz)
10
103
102
gos
bos
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF988B UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-50
BFCN-7500+ 7500 MHz, CERAMIC BPF
BFCN-ED13661/10 8350 MHz, BAND PASS FILTER
BFCN-EDR9964/12 6515 MHz, BAND PASS FILTER
BFG198TRL UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF862 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
BF862,215 功能描述:射頻JFET晶體管 JFET N-CH 20V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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BF862_00 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FET
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